收藏本站
IXFN 180N15P
250
Fig. 7. Input Adm ittance
120
Fig. 8. Trans conductance
225
200
175
150
125
100
100
80
60
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
75
50
25
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
20
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 75V
I D = 90A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.3
0.5
0.7 0.9
V S D - V olts
1.1
1.3
1.5
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225 250
Q G - NanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
10,000
C is
C os
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
1,000
C rs
T J = 175 o C
T C = 25 o C
DC
10ms
100
10
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFN180N20 MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
IXFN180N25T MOSFET N-CH 155A 250V SOT-227
IXFN200N07 MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
IXFN200N10P MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
IXFN20N120P MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
IXFN20N120 MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
IXFN210N20P MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
IXFN21N100Q MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFN180N20 功能描述:MOSFET 200V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN180N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:700W ;RoHS Compliant: Yes
IXFN180N25T 功能描述:MOSFET 155A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN185N10 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 185A I(D)
IXFN200N06 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFN200N07 功能描述:MOSFET 70V 200A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN200N10P 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN20N120 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube